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基本信息
- 作品名称：
- 新型锡酸盐光存储材料的研制及其信息存储概念模型的制作
- 大类：
- 自然科学类学术论文
- 小类：
- 能源化工
- 简介：
针对光存储技术在材料方面的关键问题，以碱土锡酸盐为研究对象，通过实验筛选，得到了两种具有优秀光存储特性和实际应用潜力的新型光存储材料：Mg2SnO4和Sr2SnO4:Tb3+,Li+。Mg2SnO4具有较强的长余辉和光存储现象。而Sr2SnO4:Tb3+,Li+由于余辉很弱，具有更好的光存储性能，并利用该材料制作了光存储概念模型。结果表明：光存储技术应用关键在于材料的永久存储的和激光器的超细精度。
- 详细介绍：
电子俘获型超高密度光存储技术是继磁存储、烧坑光盘存储和闪存后的第四代海量信息存储技术。光存储技术的关键在于具有优良红外上转换光激励现象的发光材料。然而目前，人们只在碱土硫化物和一些长余辉材料中观察到了红外上转换光激励现象。由于硫化物不稳定且有污染，而长余辉又会削弱光存储性能，因此寻找一种没有长余辉或者余辉很弱的氧化物体系就成为光存储技术发展及其实际应用的关键。本作品选取物理化学性质稳定、且具有较多蓄能陷阱的碱土锡酸盐作为研究对象，通过实验筛选，首次发现了两种具有实际应用潜力的新型光存储材料：Mg2SnO4 和Sr2SnO4:Tb3+,Li+。研究结果表明：Mg2SnO4 在紫外光写入信息后，用红外激光可以读出很强的绿色光信号，不过由于Mg2SnO4 具有很强的长余辉，因此其信息存储时间和强度有限。另一方面，Sr2SnO4:Tb3+,Li+ 在红外激光激发下也体现很强的绿色光信号，由于Sr2SnO4:Tb3+,Li+ 几乎没有余辉，因此其具有了较好的实际应用价值。为了探索光存储技术的实现途径和现有技术难点，我们利用所开发的新型Sr2SnO4:Tb3+,Li+ 光存储材料制作了电子俘获型信息光存储光盘及其光驱系统的概念演示模型，结果表明：光存储技术实际应用的关键瓶颈在于信息可永久存储的光存储材料和超细精度的紫外-红外激光器。因此本作品的研究成果不仅具有较好的实际应用价值，而且对于丰富人们对锡酸体系发光性能的认识，启迪新型光存储材料及信息光存储技术的研发思路具有一定的理论启发意义。
- 获奖情况：
第十二届“挑战杯”作品 二等奖
1, Minghui Yu, Qingsong Qin, Jiachi Zhang*, et al，The persistent luminescence and up conversion photostimulated luminescence properties of nondoped Mg2SnO4 material. Journal of Applied Physics. 108 (2010) 123518. SCI Impact=2.201.
2, Qingsong Qin, Minghui Yu, Jiachi Zhang* et al, Up-conversion photostimulated luminescence of Mg2SnO4 for optical storage. Chinese Physics Letters. Vol. 28, No. 2 (2011) 027802. SCI Impact=0.743.
3, Qingsong Qin, Minghui Yu, Jiachi Zhang* et al,
