主办单位: 共青团中央   中国科协   教育部   中国社会科学院   全国学联  

承办单位: 贵州大学     

作品简介: 本文利用逃逸电子的输运分析了TEXTOR托卡马克上等离子体大破裂下的磁涨落水平。TEXTOR托卡马克采用包含逃逸产生以及损失的零维模型模拟了等离子体大破裂下的电流演化。根据模拟参数-逃逸电子的损失速率,我们得到了TEXTOR托卡马克上的磁涨落水平。该磁涨落水平大约在10^-5量级,磁涨落强度随注入等离子体中气体数量的增加而增强。

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